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SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線(xiàn)芯片

簡(jiǎn)要描述：SOI單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線(xiàn)芯片片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit

產(chǎn)品型號(hào)：ZG
廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家
更新時(shí)間：2025-05-10
訪(fǎng) 問(wèn) 量：2717

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硅基單片集成 9bit 可調(diào)光時(shí)延線(xiàn)芯片

〖簡(jiǎn)介Introduction〗

單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級(jí)時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開(kāi)關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級(jí)延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線(xiàn)的電時(shí)延芯片，光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串?dāng)_非目標(biāo)時(shí)延信號(hào)消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對(duì)于微波信號(hào)大至 4 個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率比，光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號(hào)處理能力，適合各類(lèi)超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。

〖特性Features〗

n 高速切換（100～200ns）

n 高延時(shí)精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可達(dá)）

n 超小尺寸

n 超寬帶工作

n 全固態(tài)波導(dǎo)芯片可靠性強(qiáng)

n 大時(shí)延范圍(～2ns 可達(dá))

n 高功率耐受度（ 23dBm 典型值）

應(yīng)用Applications〗

n 光控相控陣系統(tǒng)、超寬帶光域信號(hào)處理

〖主要性能指標(biāo) Specifications〗

性能指標(biāo)/Parameter	單位/Unit	典型值/Typ.	備注/Notes
工作波長(zhǎng)/Operationwavelength	nm	1530-1570
延時(shí)位數(shù)/Delay bits	/	9	可定制/Can be customized
最小延時(shí)步進(jìn)/Min.step-delay	ps	2	可定制/Can be customized
可調(diào)節(jié)最大延時(shí)量/Adjustable max.delay	ps	1022
延時(shí)精度	ps	±0.5	≤16ps 延時(shí)量
		±1	18~64ps 延時(shí)量
		±2	66~512ps 延時(shí)量
		±3	514~1022ps 延時(shí)量
延時(shí)切換時(shí)間/Delay switching time	ns	200
插入損耗/Insertion loss	dB	11	13dB max
各延時(shí)態(tài)損耗差異/Delay state loss difference	dB	±1
耐受光功率	dBm	23	26dBm max
回波損耗/Return loss	dB	45
芯片尺寸/Chip dimension	mm	20×15×0.7

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