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ZG6 比特硅基光延遲芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2021

6 比特硅基光延遲芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZGSOI芯片光延時(shí)線

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：1935

SOI芯片光延時(shí)線具有多通道、高集成度芯片化、高速響應(yīng)等特點(diǎn)，主要應(yīng)用于光纖傳感、光纖通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域
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ZG硅基光延時(shí)芯片超小尺寸

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：1837

硅基光延時(shí)芯片超小尺寸是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZG硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：1707

硅基6 位可調(diào)光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZG硅基6 位光延時(shí)芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：ZG

瀏覽量：1660

硅基6 位光延時(shí)芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技術(shù)、將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)品。
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ZGSOI高速光開關(guān)芯片

更新時(shí)間：2025-02-17

型號(hào)：ZG

瀏覽量：2199

SOI高速光開關(guān)芯片該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低
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梓冠高精度7bit 光延時(shí)器芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：梓冠

瀏覽量：2033

高精度7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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梓冠7bit 光延時(shí)器芯片

更新時(shí)間：2025-05-10

型號(hào)：梓冠

瀏覽量：1810

7bit 光延時(shí)器芯片切換將硅基光開關(guān)和硅波導(dǎo)延時(shí)路單片集成的自主研發(fā)產(chǎn)品。集成的硅基光開關(guān)使其延時(shí)態(tài)切換速度達(dá)到 1 μs 以下，硅波導(dǎo)延時(shí)使其延時(shí)精度提升 1 個(gè)量級(jí)，厚膜 SOI 硅光技術(shù)使其光損耗達(dá)到工程應(yīng)用水平，單片集成的芯片解決了傳統(tǒng)光延時(shí)器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應(yīng)用要求的新一代產(chǎn)
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